CSD17313Q2T

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Parte di u fabricatore

CSD17313Q2T

U fabricatore
Texas
Descrizzione
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
40000
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:NexFET™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):3V, 8V
  • rds on (max) @ id, vgs:30mOhm @ 4A, 8V
  • vgs (th) (max) @ id:1.8V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:2.7 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):+10V, -8V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:340 pF @ 15 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.4W (Ta), 17W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-WSON (2x2)
  • pacchettu / casu:6-WDFN Exposed Pad
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