SQD19P06-60L_GE3

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Parte di u fabricatore

SQD19P06-60L_GE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
1150
Datasheets in linea
SQD19P06-60L_GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:20A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:55mOhm @ 19A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1490 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):46W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-252, (D-Pak)
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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