DMTH10H4M5LPS-13

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Parte di u fabricatore

DMTH10H4M5LPS-13

U fabricatore
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
5000
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:20A (Ta), 100A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:4.3mOhm @ 30A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:4843 pF @ 50 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.7W (Ta), 136W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerDI5060-8
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
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