Name: IRLR3636PBF
Brand: Rochester Electronics
SKU: IRLR3636PBF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IRLR3636PBF

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 345000

Datasheets in linea: IRLR3636PBF PDF

IRLR3636PBF Avvisu

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serie:HEXFET®
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:50A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.8mOhm @ 50A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 100µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:49 nC @ 4.5 V
vgs (max):±16V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:3.779 pF @ 50 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):143W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D-Pak
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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