VP2106N3-G

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Parte di u fabricatore

VP2106N3-G

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
627
Datasheets in linea
VP2106N3-G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:250mA (Tj)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:12Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:60 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-92-3
  • pacchettu / casu:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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