Name: SI2325DS-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SI2325DS-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SI2325DS-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 312001

Datasheets in linea: SI2325DS-T1-GE3 PDF

SI2325DS-T1-GE3 Avvisu

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serie:TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:P-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):150 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:530mA (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:510 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):750mW (Ta)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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SPD03N60C3 Rochester Electronics	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252	In magazinu: 702300 In ordine: 702300	$0.52000
FDH047AN08A0 Rochester Electronics	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8	In magazinu: 400000 In ordine: 400000	$2.26300
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PMN230ENEX Nexperia	MOSFET N-CH 60V 1.6A 6TSOP	In magazinu: 1409 In ordine: 1409	$0.06460
TP65H050WS Transphorm	GANFET N-CH 650V 34A TO247-3	In magazinu: 7489 In ordine: 7489	$17.05000
TPH9R506PL,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP	In magazinu: 1000000 In ordine: 1000000	$0.79000