Name: BSM400C12P3G202
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: BSM400C12P3G202
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSM400C12P3G202

U fabricatore: ROHM Semiconductor

Descrizzione: SICFET N-CH 1200V 400A MODULE

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 1

Datasheets in linea: -

BSM400C12P3G202 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tray
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:SiCFET (Silicon Carbide)
drain à a tensione di fonte (vdss):1200 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:400A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:-
vgs (th) (max) @ id:5.6V @ 106.8mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
vgs (max):+22V, -4V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:17000 pF @ 10 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):1570W (Tc)
temperatura di funziunamentu:175°C (TJ)
tipu di muntatura:Chassis Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module
pacchettu / casu:Module

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