TK9A90E,S4X

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Parte di u fabricatore

TK9A90E,S4X

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
TK9A90E,S4X PDF
Inchiesta
  • serie:π-MOSVIII
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):900 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:9A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.3Ohm @ 4.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 900µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:2000 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):50W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220SIS
  • pacchettu / casu:TO-220-3 Full Pack
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