Name: BSC110N06NS3GATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSC110N06NS3GATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSC110N06NS3GATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 30000

Datasheets in linea: BSC110N06NS3GATMA1 PDF

BSC110N06NS3GATMA1 Avvisu

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serie:OptiMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:50A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 50A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 23µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 30 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TDSON-8-5
pacchettu / casu:8-PowerTDFN

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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SI2316BDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3	In magazinu: 380292 In ordine: 380292	$0.62000