Name: FQAF10N80
Brand: Rochester Electronics
SKU: FQAF10N80
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: FQAF10N80

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 50000

Datasheets in linea: FQAF10N80 PDF

FQAF10N80 Avvisu

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serie:QFET®
pacchettu:Tube
statutu di parte:Obsolete
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):800 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:6.7A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.05Ohm @ 3.35A, 10V
vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:71 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:2.7 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):113W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-3PF
pacchettu / casu:TO-3P-3 Full Pack

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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NTMFS5C670NLT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN	In magazinu: 270 In ordine: 270	$0.44500