Name: SQ2351ES-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SQ2351ES-T1_GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SQ2351ES-T1_GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 505093

Datasheets in linea: SQ2351ES-T1_GE3 PDF

SQ2351ES-T1_GE3 Avvisu

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serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:P-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3.2A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:115mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:5.5 nC @ 4.5 V
vgs (max):±12V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:330 pF @ 10 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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IRF6713STRPBF Rochester Electronics	MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT	In magazinu: 48801 In ordine: 48801	$1.00000