IPB100N04S4H2ATMA1

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Parte di u fabricatore

IPB100N04S4H2ATMA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
4200000
Datasheets in linea
IPB100N04S4H2ATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):40 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:100A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 100A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 70µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:90 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:7180 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):115W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO263-3-2
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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