IPW60R041P6FKSA1

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Parte di u fabricatore

IPW60R041P6FKSA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
600000
Datasheets in linea
IPW60R041P6FKSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:CoolMOS™ P6
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:77.5A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:41mOhm @ 35.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 2.96mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:8180 pF @ 100 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):481W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO247-3
  • pacchettu / casu:TO-247-3
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