TP65H050WSQA

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Parte di u fabricatore

TP65H050WSQA

U fabricatore
Transphorm
Descrizzione
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
300
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:36A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 25A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4.8V @ 700µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1000 pF @ 400 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):150W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3
  • pacchettu / casu:TO-247-3
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