NTR4171PT1G

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Parte di u fabricatore

NTR4171PT1G

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
31500
Datasheets in linea
NTR4171PT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2.2A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:75mOhm @ 2.2A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:1.4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:15.6 nC @ 10 V
  • vgs (max):±12V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:720 pF @ 15 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):480mW (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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