Name: SIR804DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIR804DP-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SIR804DP-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 193900

Datasheets in linea: SIR804DP-T1-GE3 PDF

SIR804DP-T1-GE3 Avvisu

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serie:TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:60A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:7.2mOhm @ 20A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:76 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:2450 pF @ 50 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® SO-8
pacchettu / casu:PowerPAK® SO-8

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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IPB031N08N5ATMA1 IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK	In magazinu: 58781 In ordine: 58781	$3.20000