Name: BSC123N08NS3GATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSC123N08NS3GATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSC123N08NS3GATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 35000

Datasheets in linea: BSC123N08NS3GATMA1 PDF

BSC123N08NS3GATMA1 Avvisu

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serie:OptiMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):80 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:11A (Ta), 55A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:12.3mOhm @ 33A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 33µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1870 pF @ 40 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta), 66W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TDSON-8-1
pacchettu / casu:8-PowerTDFN

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