Name: SI2302DDS-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SI2302DDS-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SI2302DDS-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 614896

Datasheets in linea: SI2302DDS-T1-GE3 PDF

SI2302DDS-T1-GE3 Avvisu

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serie:TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2.9A (Tj)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:57mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:850mV @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:5.5 nC @ 4.5 V
vgs (max):±8V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):710mW (Ta)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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IRF1405ZLPBF IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 55V 75A TO262	In magazinu: 50000 In ordine: 50000	$2.30000
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IRFP4332PBF IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC	In magazinu: 79000 In ordine: 79000	$4.64000
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SI4426DY-T1-E3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO	In magazinu: 2500 In ordine: 2500	$1.60000
IXTA08N100D2 Wickmann / Littelfuse	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263	In magazinu: 50489 In ordine: 50489	$2.14000