Name: BSZ068N06NSATMA1
Brand: Rochester Electronics
SKU: BSZ068N06NSATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSZ068N06NSATMA1

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: BSZ068N06 - 12V-300V N-CHANNEL P

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 84600

Datasheets in linea: BSZ068N06NSATMA1 PDF

BSZ068N06NSATMA1 Avvisu

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serie:OptiMOS™
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:40A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.8mOhm @ 20A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.3V @ 20µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.5 pF @ 30 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2.1W (Ta), 46W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TSDSON-8-FL
pacchettu / casu:8-PowerTDFN

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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