Name: IRFR1018EPBF
Brand: Rochester Electronics
SKU: IRFR1018EPBF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IRFR1018EPBF

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 4403

Datasheets in linea: IRFR1018EPBF PDF

IRFR1018EPBF Avvisu

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serie:HEXFET®
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:56A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:8.4mOhm @ 47A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 100µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:69 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:2290 pF @ 50 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):110W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D-PAK (TO-252AA)
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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