FDMS86103L

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Parte di u fabricatore

FDMS86103L

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
11307
Datasheets in linea
FDMS86103L PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:12A (Ta), 49A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:8mOhm @ 12A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:3710 pF @ 50 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-PQFN (5x6)
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
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