Name: SPD09P06PLGBTMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: SPD09P06PLGBTMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SPD09P06PLGBTMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 55000

Datasheets in linea: SPD09P06PLGBTMA1 PDF

SPD09P06PLGBTMA1 Avvisu

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serie:SIPMOS®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:P-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:9.7A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:250mOhm @ 6.8A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:450 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):42W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO252-3
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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SI4435DDY-T1-E3 Vishay / Siliconix	MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO	In magazinu: 295392 In ordine: 295392	$0.78000