Name: IPN60R3K4CEATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPN60R3K4CEATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IPN60R3K4CEATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 523616

Datasheets in linea: IPN60R3K4CEATMA1 PDF

IPN60R3K4CEATMA1 Avvisu

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serie:CoolMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2.6A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 40µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:4.6 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:93 pF @ 100 V
funzione fet:Super Junction
dissipazione di putenza (max):5W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-SOT223
pacchettu / casu:SOT-223-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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IRFS3107PBF Rochester Electronics	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK	In magazinu: 80000 In ordine: 80000	$2.07000