Name: RM4N650LD
Brand: Rectron USA
SKU: RM4N650LD
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: RM4N650LD

U fabricatore: Rectron USA

Descrizzione: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: -

RM4N650LD Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
vgs (max):±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:280 pF @ 50 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):46W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-252-2
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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