Name: IRFH8318TRPBF
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IRFH8318TRPBF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IRFH8318TRPBF

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 220000

Datasheets in linea: IRFH8318TRPBF PDF

IRFH8318TRPBF Avvisu

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serie:HEXFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:27A (Ta), 120A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.1mOhm @ 20A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2.35V @ 50µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:3180 pF @ 10 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):3.6W (Ta), 59W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PQFN (5x6)
pacchettu / casu:8-PowerTDFN

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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NVMFS5C430NLAFT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN	In magazinu: 8000 In ordine: 8000	$1.34000