Name: TPH2R408QM,L1Q
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TPH2R408QM,L1Q
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: TPH2R408QM,L1Q

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 150000

Datasheets in linea: -

TPH2R408QM,L1Q Avvisu

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serie:U-MOSX-H
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):80 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:120A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.43mOhm @ 50A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 1mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:87 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:8300 pF @ 40 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):3W (Ta), 210W (Tc)
temperatura di funziunamentu:175°C
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SOP Advance (5x5)
pacchettu / casu:8-PowerVDFN

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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