HAT2165H-EL-E

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Parte di u fabricatore

HAT2165H-EL-E

U fabricatore
Renesas Electronics America
Descrizzione
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
74406
Datasheets in linea
HAT2165H-EL-E PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:55A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 27.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:5180 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):30W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:LFPAK
  • pacchettu / casu:SC-100, SOT-669
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