FCD1300N80Z

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Parte di u fabricatore

FCD1300N80Z

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
17500
Datasheets in linea
FCD1300N80Z PDF
Inchiesta
  • serie:SuperFET® II
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):800 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.3Ohm @ 2A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 400µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:880 pF @ 100 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):52W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DPAK
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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