IPB320N20N3GATMA1

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Parte di u fabricatore

IPB320N20N3GATMA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
63188
Datasheets in linea
IPB320N20N3GATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:34A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:32mOhm @ 34A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 90µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:2350 pF @ 100 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):136W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D²PAK (TO-263AB)
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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