C2M0280120D

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Parte di u fabricatore

C2M0280120D

U fabricatore
Wolfspeed - a Cree company
Descrizzione
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
1125
Datasheets in linea
C2M0280120D PDF
Inchiesta
  • serie:Z-FET™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Not For New Designs
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:10A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):20V
  • rds on (max) @ id, vgs:370mOhm @ 6A, 20V
  • vgs (th) (max) @ id:2.8V @ 1.25mA (Typ)
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:20.4 nC @ 20 V
  • vgs (max):+25V, -10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:259 pF @ 1000 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):62.5W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3
  • pacchettu / casu:TO-247-3
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