GA20JT12-263

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Parte di u fabricatore

GA20JT12-263

U fabricatore
GeneSiC Semiconductor
Descrizzione
TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
134
Datasheets in linea
GA20JT12-263 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:-
  • tecnulugia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:45A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 20A
  • vgs (th) (max) @ id:-
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):-
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:3091 pF @ 800 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):282W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D2PAK (7-Lead)
  • pacchettu / casu:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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