Name: G2R1000MT17J
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: G2R1000MT17J
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: G2R1000MT17J

U fabricatore: GeneSiC Semiconductor

Descrizzione: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 2

Datasheets in linea: -

G2R1000MT17J Avvisu

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serie:G2R™
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:SiCFET (Silicon Carbide)
drain à a tensione di fonte (vdss):1700 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):20V
rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 2mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
vgs (max):+20V, -10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:139 pF @ 1000 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):54W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-263-7
pacchettu / casu:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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