RZR020P01TL

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Parte di u fabricatore

RZR020P01TL

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
4400
Datasheets in linea
RZR020P01TL PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Not For New Designs
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):12 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:105mOhm @ 2A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:6.5 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:770 pF @ 6 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TSMT3
  • pacchettu / casu:SC-96
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