Name: SISS27ADN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SISS27ADN-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SISS27ADN-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 25000

Datasheets in linea: SISS27ADN-T1-GE3 PDF

SISS27ADN-T1-GE3 Avvisu

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serie:TrenchFET® Gen III
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:P-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:50A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:5.1mOhm @ 15A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:55 nC @ 4.5 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:4660 pF @ 15 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):57W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
pacchettu / casu:PowerPAK® 1212-8S

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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TSM2312CX RFG TSC (Taiwan Semiconductor)	MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23	In magazinu: 600000 In ordine: 600000	$0.62000