IRL60HS118

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Parte di u fabricatore

IRL60HS118

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
3150
Datasheets in linea
IRL60HS118 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:18.5A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:17mOhm @ 11A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.3V @ 10µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:660 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):11.5W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-PQFN (2x2)
  • pacchettu / casu:6-VDFN Exposed Pad
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