Name: IPB200N25N3GATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB200N25N3GATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IPB200N25N3GATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 28000

Datasheets in linea: IPB200N25N3GATMA1 PDF

IPB200N25N3GATMA1 Avvisu

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serie:OptiMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):250 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:64A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:20mOhm @ 64A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 270µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:7100 pF @ 100 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):300W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D²PAK (TO-263AB)
pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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