SI4465ADY-T1-E3

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Parte di u fabricatore

SI4465ADY-T1-E3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
1000000
Datasheets in linea
SI4465ADY-T1-E3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):8 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:13.7A (Ta), 20A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 14A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:85 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±8V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3W (Ta), 6.5W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SO
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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