Name: IPP60R180P7XKSA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPP60R180P7XKSA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IPP60R180P7XKSA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 32201

Datasheets in linea: IPP60R180P7XKSA1 PDF

IPP60R180P7XKSA1 Avvisu

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serie:CoolMOS™ P7
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:18A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 280µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1081 pF @ 400 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):72W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO220-3
pacchettu / casu:TO-220-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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