Name: IPB60R099C6ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB60R099C6ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IPB60R099C6ATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 67000

Datasheets in linea: IPB60R099C6ATMA1 PDF

IPB60R099C6ATMA1 Avvisu

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serie:CoolMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Not For New Designs
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:37.9A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:99mOhm @ 18.1A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 1.21mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:119 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:2660 pF @ 100 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):278W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D²PAK (TO-263AB)
pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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DMN10H220LK3-13 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252	In magazinu: 300 In ordine: 300	$0.45000
NTMFS4936NT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 11.6A/79A 5DFN	In magazinu: 2000 In ordine: 2000	$0.89000
FQP5N50C Rochester Electronics	MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3	In magazinu: 12160 In ordine: 12160	$0.44000