STV200N55F3

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Parte di u fabricatore

STV200N55F3

U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
STV200N55F3 PDF
Inchiesta
  • serie:STripFET™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):55 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:200A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:2.5mOhm @ 75A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:6800 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):300W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:10-PowerSO
  • pacchettu / casu:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
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