SI1499DH-T1-GE3

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Parte di u fabricatore

SI1499DH-T1-GE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
3100000
Datasheets in linea
SI1499DH-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):8 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.6A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.2V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:78mOhm @ 2A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:800mV @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:650 pF @ 4 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SC-70-6 (SOT-363)
  • pacchettu / casu:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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