IRLL2705PBF

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Parte di u fabricatore

IRLL2705PBF

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
2000816
Datasheets in linea
IRLL2705PBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):55 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3.8A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:40mOhm @ 3.8A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 10 V
  • vgs (max):±16V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:870 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-223
  • pacchettu / casu:TO-261-4, TO-261AA
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