Name: CSD25213W10
Brand: Texas
SKU: CSD25213W10
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: CSD25213W10

U fabricatore: Texas

Descrizzione: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 600000

Datasheets in linea: -

CSD25213W10 Avvisu

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serie:NexFET™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:P-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.6A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:47mOhm @ 1A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:1.1V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:2.9 nC @ 4.5 V
vgs (max):-6V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:478 pF @ 10 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):1W (Ta)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:4-DSBGA (1x1)
pacchettu / casu:4-UFBGA, DSBGA

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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SIR800DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8	In magazinu: 136400 In ordine: 136400	$1.66700