IRFHM9331TRPBF

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Parte di u fabricatore

IRFHM9331TRPBF

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
412000
Datasheets in linea
IRFHM9331TRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:11A (Ta), 24A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V, 20V
  • rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 11A, 20V
  • vgs (th) (max) @ id:2.4V @ 25µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 10 V
  • vgs (max):±25V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1543 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.8W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PQFN (3x3)
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
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