BSS670S2LH6327XTSA1

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Parte di u fabricatore

BSS670S2LH6327XTSA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
36500
Datasheets in linea
BSS670S2LH6327XTSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):55 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:540mA (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:650mOhm @ 270mA, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 2.7µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:2.26 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:75 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):360mW (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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