BSS806NH6327XTSA1

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Parte di u fabricatore

BSS806NH6327XTSA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
599
Datasheets in linea
BSS806NH6327XTSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2.3A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.8V, 2.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:57mOhm @ 2.3A, 2.5V
  • vgs (th) (max) @ id:750mV @ 11µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:1.7 nC @ 2.5 V
  • vgs (max):±8V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:529 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):500mW (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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