Name: TP65H300G4LSG
Brand: Transphorm
SKU: TP65H300G4LSG
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: TP65H300G4LSG

U fabricatore: Transphorm

Descrizzione: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 240

Datasheets in linea: -

TP65H300G4LSG Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tray
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:GaNFET (Gallium Nitride)
drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:6.5A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):8V
rds on (max) @ id, vgs:312mOhm @ 5A, 8V
vgs (th) (max) @ id:2.6V @ 500µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:9.6 nC @ 8 V
vgs (max):±18V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 400 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):21W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:3-PQFN (8x8)
pacchettu / casu:3-PowerDFN

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