Name: EPC2010C
Brand: EPC
SKU: EPC2010C
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: EPC2010C

U fabricatore: EPC

Descrizzione: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 11234

Datasheets in linea: EPC2010C PDF

EPC2010C Avvisu

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serie:eGaN®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:GaNFET (Gallium Nitride)
drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:22A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):5V
rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 12A, 5V
vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 3mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:5.3 nC @ 5 V
vgs (max):+6V, -4V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:540 pF @ 100 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):-
temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Die Outline (7-Solder Bar)
pacchettu / casu:Die

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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