Name: G2R1000MT17D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: G2R1000MT17D
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: G2R1000MT17D

U fabricatore: GeneSiC Semiconductor

Descrizzione: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 2000

Datasheets in linea: -

G2R1000MT17D Avvisu

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serie:G2R™
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:SiCFET (Silicon Carbide)
drain à a tensione di fonte (vdss):1700 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):20V
rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 2mA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
vgs (max):+20V, -5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:139 pF @ 1000 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):53W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3
pacchettu / casu:TO-247-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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PMV48XPA2R Nexperia	MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB	In magazinu: 202000 In ordine: 202000	$0.18000