Name: IPT020N10N3ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPT020N10N3ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IPT020N10N3ATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 110000

Datasheets in linea: IPT020N10N3ATMA1 PDF

IPT020N10N3ATMA1 Avvisu

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serie:OptiMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:300A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2mOhm @ 150A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 272µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:156 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:11200 pF @ 50 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):375W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-HSOF-8-1
pacchettu / casu:8-PowerSFN

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